隨著科技的，大家對真空，真空技術，這個詞都有了一定的了解。
在給定的空間內低于一個大氣壓的氣體狀態稱之為真空狀態。這種特定的真空狀態與大氣狀態相比較，主要有兩個基本特點：首先，處于真空狀態的真空容器要受到大氣壓強的作用;其次，真空狀態下氣體的分子密度小于大氣狀態下的氣體分子密度，因此，分子之間以及分子與固體表面(如器壁)之間碰撞的幾率相對減小。
那到底哪些地方哪些領域用到了真空技術呢。
下面我們來大概的談談
現代社會每個人都(dou)在享(xiang)受著真(zhen)(zhen)空(kong)技術給我們帶來的(de)便利。例如：暖壺能(neng)保溫(wen)(wen)的(de)秘訣就在于瓶壁內(nei)有真(zhen)(zhen)空(kong)的(de)空(kong)間(jian)，減少了熱傳導，以保持壺內(nei)溫(wen)(wen)度;熒(ying)光(guang)(guang)(guang)燈(deng)(deng)、街燈(deng)(deng)、汽車照明燈(deng)(deng)的(de)內(nei)部(bu)也是(shi)(shi)真(zhen)(zhen)空(kong)狀態，否(fou)則就無法發光(guang)(guang)(guang)。電(dian)視、電(dian)腦顯示器等也離不開真(zhen)(zhen)空(kong)。眼鏡和攝像機、照相機鏡頭(tou)為了提高光(guang)(guang)(guang)的(de)透過率，表面(mian)所(suo)鍍的(de)光(guang)(guang)(guang)學薄膜也是(shi)(shi)應用(yong)了真(zhen)(zhen)空(kong)技術。
半(ban)導體(ti)產業離(li)不開(kai)真空技術。生產半(ban)導體(ti)元件：(1)要(yao)在硅片上(shang)摻入相應的(de)(de)其(qi)他(ta)元素;(2)在生產集(ji)成(cheng)(cheng)電路時要(yao)形成(cheng)(cheng)復雜的(de)(de)金(jin)屬薄膜和絕緣膜;(3)要(yao)進行表面的(de)(de)刻蝕處理等復雜的(de)(de)工(gong)序(xu)。如果(guo)生產過(guo)程(cheng)中的(de)(de)真空度不夠，表面上(shang)沾(zhan)了灰塵或油滴之(zhi)后會出現(xian)嚴重的(de)(de)后果(guo)。集(ji)成(cheng)(cheng)電路中細線的(de)(de)寬度是吸煙時吐出的(de)(de)煙霧顆粒直徑的(de)(de)1/3，是一(yi)粒灰塵直徑的(de)(de)近萬分(fen)之(zhi)一(yi)。對集(ji)成(cheng)(cheng)電路而言，哪怕落(luo)有一(yi)顆煙霧的(de)(de)顆粒，就好(hao)像大(da)路上(shang)停了一(yi)架大(da)型飛機(ji)一(yi)樣，使電子無法(fa)通過(guo)或造成(cheng)(cheng)短路。
新(xin)材料(liao)開發離不開真空。以分子束外延為代表(biao)的(de)薄膜(mo)(mo)生長(chang)技術是新(xin)材料(liao)開發的(de)重(zhong)要手(shou)段，薄膜(mo)(mo)材料(liao)放到蒸發源中之后(hou)被蒸發或升華，在(zai)超高(gao)真空環(huan)境中，薄膜(mo)(mo)材料(liao)的(de)原子或分子可(ke)以長(chang)距離飛行(xing)，到達襯(chen)底成膜(mo)(mo);而且由于殘留氣體少，襯(chen)底表(biao)面形成的(de)薄膜(mo)(mo)純(chun)度高(gao)。
表(biao)面科(ke)學領(ling)域對真空(kong)度的(de)要求極高。在極高真空(kong)的(de)環境下，通過(guo)高溫(wen)退火或結合離子(zi)(zi)濺射(she)而獲得物(wu)質的(de)清潔表(biao)面，這時的(de)表(biao)面沒有(you)吸附(fu)任(ren)何其他的(de)分子(zi)(zi)或原子(zi)(zi)。利用(yong)掃描(miao)隧道(dao)電(dian)子(zi)(zi)顯微鏡(jing)等尖端的(de)表(biao)面分析實驗手段，可以看到物(wu)質表(biao)面的(de)原子(zi)(zi)排列和電(dian)子(zi)(zi)狀態。
物理學中最尖端的(de)粒子(zi)加(jia)(jia)速(su)器，是大規模(mo)真(zhen)空技(ji)術的(de)組合。電(dian)子(zi)(或其他(ta)帶電(dian)粒子(zi))要被加(jia)(jia)速(su)到接近光(guang)速(su)，如果(guo)電(dian)子(zi)儲存環(huan)中不是超(chao)高(gao)真(zhen)空狀態，則電(dian)子(zi)會和其中的(de)分子(zi)或原子(zi)碰撞，從而迅速(su)衰(shuai)減。另外，核(he)聚變反(fan)應要達到上(shang)億度(du)的(de)高(gao)溫，極高(gao)真(zhen)空環(huan)境是系統工作的(de)基本前提。
軍(jun)工、宇宙開發方面也離(li)不(bu)(bu)開真空(kong)。隱形飛(fei)機或潛(qian)艇，要最大限度地吸收雷達波(bo)，以達到不(bu)(bu)被發現(xian)的目(mu)的。涂(tu)在飛(fei)機或潛(qian)艇上的吸收雷達波(bo)材料，就是(shi)活用真空(kong)技(ji)術(shu)而獲(huo)得的納米顆(ke)粒。宇宙開發更離(li)不(bu)(bu)開真空(kong)，因為宇宙本身就處(chu)(chu)于(yu)超高真空(kong)狀態。宇宙飛(fei)船使(shi)用的材料、對接(jie)技(ji)術(shu)，以及宇航員的太空(kong)服，處(chu)(chu)處(chu)(chu)都是(shi)真空(kong)技(ji)術(shu)的結晶。
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